Размещено на http://www.allbest.ru/

Размещено на http://www.allbest.ru/

Вступ

В даний час з розвитком радіозв'язку, радіоастрономії, освоєнням космічного простору зросло значення дослідження процесів, що відбуваються у верхніх шарах атмосфери Землі - іоносфері.

Серед досліджень з використанням техніки НВЧ слід визначити дослідження іоносфери. Іоносфера - це шар атмосфери Землі що займає висоти від 60 до 20 000 км над рівнем моря. На цих висотах густина газу вельми мала й газ іонізовано, тобто мається велика кількість вільних електронів та іонів (приблизно 10³ - 10⁶ електронів у кубічному сантиметрі). Присутність вільних електронів значно впливає на електричні властивості газу й обумовлює можливість відбиття радіохвиль від іоносфери. Шляхом послідовного відбиття від іоносфери й від поверхні Землі радіохвилі розповсюджуються на дуже великі відстані. Крім того іоносфера являє собою неоднорідне середовище й радіохвилі розсіюються у неї, що також зумовлює можливість розповсюдження радіохвиль на великі відстані. Такі хвилі носять назву іоносферних й скрізь використовуються для дальнього радіозв`язку та заобрійної локації. Електромагнітні хвилі розповсюджуються в атмосфері Землі, яка, звісно, є середовищем на яке не можливо вплинути, але разом з тим таким, що впливає на параметри радіосигналу. А саме: послаблює радіохвилі, викривлює сигнали що передаються, в тому числі за рахунок перешкод, змінює швидкість розповсюдження й напрямок приходу сигналу. Цей вплив змінюється від дуже слабкого до крайнє сильного завдяки непередбачуваності просторово - часових коефіцієнтів заломлення іоносфери, та наявності нерегулярних явищ в іоносфері, які залежать від активності Сонця, оскільки широкий спектр електромагнітних хвиль та високоенергетичних часток, що іонізують верхні шари атмосфери випромінюються саме ним.

Електричні параметри іоносфери залежать від концентрації електронів, яка змінюється і в вертикальному і у горизонтальному напрямку, та від їх енергії, яку прийнято визначати через температуру. Значення має власна плазмова частота електронів (частота Ленгмюра) іонізованого газу, яка дорівнює:

де e - електричний заряд електрону

N_e - концентрація електронів

е₀ - діелектрична проникність вакууму

m_e - маса електрона

Від співвідношення плазмової частоти та частоти сигналу залежить діелектрична проникність газової плазми:

де f - частота сигналу що передається

Атмосфера не є однорідною, як не є однорідним і поток іонізації, тому іоносфера має не один а кілька максимумів іоноутворення, а відповідно і максимумів електронної концентрації. Розглядають три головні області іоносфери, так звані іоносферні шари: D, E та F, які утворюють висотний профіль. Він зображений на мал. 1:

Мал. 1. Висотний профіль іоносфери

Шар D розташовано на висоті 60 - 80 кілометрів. Щільність електронів тут становить 10¹⁰ на кубічний метр та менше. Цей шар виникає лише у день. Шар E розташовано на висоті 80 - 120 кілометрів. У день щільність електронів становить 10¹¹ а в ночі падає до 10³ електронів на кубічний метр. Шар Е завжди присутній у іоносфері. Шар F взимку займає висоти 240 - 330 кілометрів з щільністю до 10¹² електронів на кубічній метр вдень, та 300 - 400 кілометрів влітку з щільністю того ж порядку.

Тож щільність електронів в іоносфері, а також висоти максимумів електронної концентрації коливаються протягом доби та змінюються залежно від пори року. В ранкові і вечірні години висота максимуму більше, аніж у полуденні. Величина максимуму, навпаки, у день більше, аніж ранком та ввечері. Відповідно змінюється і діелектрична проникність газової плазми, вплив іоносфери на розповсюдження радіосигналу.

Зондування іоносфери імпульсами надвисокої частоти дозволяє визначати такі зміни у іоносфері та слідкувати за ними. Теоретичну основу таких досліджень становить теорія некогерентного (Томсоновського) розсіяння.

Відповідно до цієї теорії вільні електрони в полі електромагнітної хвилі коливаються і розсіюють падаючу на них енергію. Розсіяна потужність дорівнює потужності що приходить на поверхню рівну перетину розсіяння електрону у:

де e - електричний заряд електрону

м₀ - магнітна стала

m_e - маса електрону

Оскільки електрони розподілені в об`ємі випадковим чином, то довжина шляху від кожного з них до передавача й назад також є величиною випадковою. Тому відбиті хвилі приходять до приймача з випадковими фазами і потужність їх сумується. Тоді ця потужність:

де P₀ - потужність хвилі яка випромінюється передавачем

V - об`єм іоносфери на який падає хвиля

N_e - концентрація електронів в об`ємі

у - перетин розсіяння електрону

h - висота на якій розташован об`єм

Якщо вимірити цю потужність яка приходить на одиницю поверхні стане можливим визначити концентрацію електронів. Відповідно до класичної термодинаміки електрони, на яких стається розсіяння рухаються зі швидкостями що залежать від їх температури:

де K - стала Больцмана

T - температура

m_e - маса електрону

Відповідно до ефекту Допплера, хвиля, що випромінюється на одній частоті, вертається у вигляді смуги частот, ширина якої залежить від діапазону швидкостей електронів. Реально, у іоносфері на рух електронів значний вплив чинять іони, тому швидкість електронів є функція співвідношення електронної та іонної температур. Завдяки впливу іонів в іоносфері виникають електронні акустичні хвилі, які можуть розглядатися як Фур`є - компоненти збуреної електронної концентрації. Радіохвиля, що рухається до поверхні Землі після розсіяння на такій хвильовий Фур`є - компоненті має допплерівський зсув, що в радіанах дорівнює:

де V(Л) - швидкість електронної акустичної хвилі як функція її довжини

л - довжина зондуючуї хвилі

Щ - частота електронних акустичних хвиль

Тобто для визначення допплерівського зсуву необхідно визначити частоту електронних акустичних хвиль.

В загальному випадку, для довільної довжини хвилі Л в іоносфері присутні дві хвилі: електронна акустична хвиля, для якої допплерівський зсув дорівнює плазмовій частоті:

та іонно акустична хвиля, швидкість якої:

де v_i - швидкість іонів

б - саме відношення температур електронів та іонів:

Тоді при виконані вимоги:

можливо визначити Щ:

де m_i, v_i, T_i - відповідно, маса, швидкість та температура іонів

K - стала Больцмана

л - довжина хвилі зондуючого сигналу

Таким чином зондуюча хвиля довжиною л створює розсіяну хвилю в спектрі якої присутні дві компоненти з різними допплерівськими зсувами симетричні відносно несучої частоти. Одна компонента має допплерівський зсув порядку плазмової частоти щ_пл і називається плазмова лінія. Інша компонента називається іонна частина спектру. Її ширина визначається з формули (1). Приймаючи цю розсіяну хвилю можна визначити такі характеристики іоносфери, як T_i, T_e, швидкість дрейфу плазми v_др, газовий склад та побувати іоносферний профіль.

Іоносфера впливає на розподіл радіохвиль. Під впливом випромінювання сонця, космічних променів і часток з поясів радіації магнітосфери у верхніх шарах атмосфери відбуваються процеси іонізації, що приводять до утворення плазми. Параметри плазми залежать від часу доби, часу року, висоти, сонячної активності, стану магнітосфери, географічних координат.

При Інституті іоносфери діє радіолокаційна станція для дослідження іоносфери. Цей комплекс являє собою установку, що працює в імпульсному режимі. Працює вона в такий спосіб.

Сигнал з виходу радіопередаючого пристрою (див. мал. 1) надходить по хвилеводному фідерному тракті на два взаємно ортогональних штирі, що збуджують рупор двухзеркальної антени. Тут потужний радіоімпульс випромінюється вертикально вгору, а досить слабкий сигнал відбитого від іоносфери радіоімпульсу, розсіяного на теплових флуктуаціях електронної щільності, приймається тією же антеною і через антенний комутатор прийом-передача надходить на вхідні параметричні підсилювачі прийомного пристрою. Після посилення і перетворення в одноканальному АЦП, сигнал подається на спеціалізований корелометр, де відбувається його первинна обробка - тимчасове накопичення й обчислення його автокореляційної функції. Результати кореляційної обробки надходять на ПК, де по них визначається значення іоносферних параметрів, і видаються дані на розпечатку і на екран відеоконтрольного пристрою. Але автокореляційна функція несе в собі не тільки корисну інформацію. Наприклад коли над антеною пролітає якийсь об'єкт, то звичайно на автокореляційної функції звичайно це буде видно, але при накопичені цих функцій понад тисячами цей сигнал майже не відрізнити від звичайного шуму. Тому в цьому місці, тобто перед комп'ютером необхідно поставити міжперіодний корелятор. Значення цього пристрою у тому що при накопиченні багатьох автокореляційних функцій сигнал від об'єкту, буде дуже добре видно і дасть змогу не обробляти його надалі.

1. Аналіз пристроїв та процедур обміну даними за допомогою ПЕОМ

1.1 Організація систем вводу-виводу інформації в ПК

Принципи організації систем вводу-виводу в ПК.

Передача інформації з периферійного пристрою в ПК називається операцією вводу, а передача з ПК у периферійний пристрій - операцією виводу.

Зв'язок пристроїв ПК один з одним здійснюється за допомогою засобів сполучення - інтерфейсів. Інтерфейс являє собою сукупність ліній і шин, сигналів, електронних схем і алгоритмів, призначену для здійснення обміну інформацією між пристроями. Від характеристик інтерфейсів багато в чому залежать продуктивність і надійність обчислювальної машини.

При розробці систем вводу-виводу повинні бути вирішені наступні проблеми:

1) Повинна бути забезпечена можливість реалізації машин з перемінним складом устаткування.

2) Для ефективного використання устаткування ПК повинні реалізовуватися рівнобіжна в часі робота процесора над програмою і виконання периферійними пристроями процедур вводу-виводу.

3) Необхідно стандартизувати програмування операцій вводу-виводу для забезпечення їхньої незалежності від особливостей периферійного пристрою.



Мал. 1.2. Загальна схема підключення до шини персонального комп'ютера

Периферійні пристрої приєднуються до загальної шини за допомогою блоків керування периферійними пристроями (контролерів), що здійснюють узгодження форматів даних периферійних пристроїв з форматом, прийнятим для передачі по загальній шині.

Стандартна шина ІSA є 16-розрядною і працює на частоті 8 МГЦ:

Якщо в периферійному пристрої операції воду-виводу виробляються для окремих байт або слів, то використовується програмно-керована передача даних через процесор і під його керівництвом.

Мал. 1.3. Стандартна шина ІSA ПК

Специфікація нового типу шини PCІ дозволяє забезпечити велику гнучкість і швидкодію шини, але припускає значні апаратні витрати, що збільшує вартість системної плати. Тому шина PCІ застосовується тільки в старших моделях ПЭВМ (із процесорами 486DX4 і Pentіum).

До шини PCІ можна підключити до 10 ПУ, але розйомів розширення при цьому можна використовувати не більш трьох: кожна плата розширення PCІ може розділятися між двома ПУ, і трохи ПУ можна розмістити на самій системній платі (так називані убудовані контролери). Шина PCІ є процесорно-незалежною (тобто використовується не тільки з процесорами фірми Іntel). Вона може використовувати 124 контактний розйом (з 32-розрядною шиною даних) або 188-контактний розйом (з 64-розрядною шиною даних), при цьому теоретично можлива швидкість обміну складає відповідно 132 і 264 Мбайт/с.

Мал. 1.4. Стандартна шина PCІ ПК

Процесори 386 і 486 є 32-розрядними і працюють із зовнішньою тактовою частотою до 80 МГЦ, але по шині ІSA 32-бітні дані будуть передаватися 16-бітними блоками з частотою всього 8 МГЦ, тобто має місце різке уповільнення швидкості обміну даними між процесором і ПУ.

Інтерфейси характеризуються наступними параметрами:

1) Пропускна здатність інтерфейсу - це кількість інформації, що може бути передане через інтерфейс в одиницю часу (має діапазон від десятків байт до сотень мегабайт).

2) Максимальна частота передачі інформаційних сигналів через інтерфейс (від десятків герців до сотень мегагерц).

3) Максимально припустима відстань між пристроями, що з'єднуються, (має діапазон від десятків сантиметрів до декількох кілометрів при використанні оптоволоконих ліній).

4) Динамічні параметри інтерфейсу: час передачі окремого слова і блоку даних з урахуванням тривалості процедур підготовки і завершення передачі. Ці параметри особливо важливі для систем реального часу.

5) Загальне число ліній (проводів) в інтерфейсі.

6) Інформаційна ширина інтерфейсу - число біт даних, переданих паралельно через інтерфейс. Різні інтерфейси мають ширину 1, 8, 16, 32, 64, 128 або 256 біт.

Шина з трьома станами.

Шина з трьома станами нагадує телефонну лінію загального користування, до якої підключене багато абонентів. Три стани на шині - це стани високого рівня, низького рівня і високого імпедансу. Стан високого імпедансу дозволяє пристроєві або процесорові відключитися від шини і не впливати на рівні, установлювані на шині іншими пристроями або процесорами. Таким чином, тільки один пристрій є ведучим на шині. Керуюча логіка активізує в кожен конкретний момент тільки один пристрій, що ставати ведучим. Коли пристрій активізований, воно поміщає свої дані на шину, все-таки інші потенційні ведучі переводяться в пасивний стан.

До шини може бути підключене багато прийомних пристроїв - одержувачів. Звичайно дані на шині призначаються тільки для одного з них. Сполучення керуючих і адресних сигналів, визначає для кого саме. Керуюча логіка збуджує спеціальні стробуючі сигнали, щоб вказати одержувачеві, коли йому варто приймати дані. Одержувачі і відправники можуть бути односпрямованими (тобто здійснювати тільки або передачу, або прийом) і двунаправленими (здійснювати і те й інше).

Таким чином, шина - це канал пересилання даних, використовуваний спільно різними блоками системи. Шина може являти собою набір провідних ліній, витравлених у друкованій платі, проводи припаяні до виводів розйомів, у які вставляються друковані плати, або плоский кабель. Компоненти комп'ютерної системи фізично розташовані на одній або декількох друкованих платах, причому їхнє число і функції залежать від конфігурації системи, її виготовлювача, а часто і від покоління мікропроцесора.

Інформація передається по шині у виді груп бітів. До складу шини для кожного біта слова може бути передбачена окрема лінія (рівнобіжна шина), або всі біти слова можуть послідовно в часі використовувати одну лінію (послідовна шина). На рис 2. намальовано типове підключення пристроїв до шини даних.

Мал. 1.5. Типове зображення загальної шини

Методи передачі інформації між пристроями ПК.

Використовуються два методи передачі дискретних сигналів: синхронний і асинхронний. При синхронному методі передавальний пристрій встановлює один із двох можливих станів сигналу (0 або 1) і підтримує його протягом строго визначеного інтервалу часу, після витікання якого стан сигналу на передавальній стороні може бути змінено.

Час передачі сигналу, що складається з часу передачі сигналу по лінії і часові розпізнавання і фіксації сигналу в регістрі прийомного пристрою, залежить від параметрів лінії зв'язку і характеристик прийомного і передавального пристроїв.

Період синхронної передачі інформації повинний перевищувати максимальний час передачі сигналу. Він задається спеціальними тактовими імпульсами, як правило, що надходять від тактового генератора з кварцовим резонатором.

При асинхронній передачі передавальний пристрій установлює відповідному переданому кодові стан сигналу на інформаційній лінії, а приймаючий пристрій після прийому сигналу інформує об цьому передавальний пристрій зміною стану сигналу на лінії підтвердження прийому. Передавальний пристрій, одержавши сигнал підтвердження, знімає переданий сигнал.

Звичайно, при передачі сигналів на короткі відстані (десятки сантиметрів) більш швидким виявляється синхронний метод, а при передачі на великі відстані - асинхронний.

При передачі паралельного коду по паралельних лініях сигнали надійдуть у прийомний пристрій у різний час через розкид параметрів ланцюгів, що формують сигнали, і ліній інтерфейсу (так називана проблема змагань). Використовується два методи передачі паралельного коду по декількох лініях: зі стробуванням, що використовує синхронну передачу, і з квантуванням, у якому використовується асинхронна передача.

При передачі зі стробуванням крім N інформаційних ліній використовується лінія «готовність даних»: спочатку встановлюються значення переданих сигналів на інформаційних лініях, потім на лінії готовності встановлюється рівень 1. Через строго визначений період часу (перевищуючий максимальний час передачі) сигнал готовності скидається в 0, процес передачі завершується, після чого можна змінити сигнали на інформаційних лініях і передавати наступну порцію даних.

При передачі з квантуванням крім N інформаційних ліній і лінії готовності даних використовується лінія підтвердження прийому: спочатку встановлюються значення переданих сигналів на інформаційних лініях, потім на лінії готовності встановлюється рівень 1. Прийнявши фронт сигналу готовності, прийомний пристрій зчитує сигнали з інформаційних ліній і посилає передавачеві сигнал підтвердження прийому. Прийнявши фронт сигналу підтвердження передавач знімає сигнал готовності, після чого може приступати до передачі нової порції даних.

2. Розрахунок функціональної та принципової схем корелятора

2.1 Розрахунок функціональної схеми імітатора

Мал. 2.1. Структурна схема пристрою

Відповідно до завдання структурна схема Межпериодного коррелятора. Його схема складається з наступного.

Дані після АЦП крім спец обчислювача надходять також на корелятор а потім на персональний комп'ютер. Корелятор являє собою дві лінії одна лінія пропускає через себе дані не впливаючи не на які параметри, а друга являє собою лінію затримки і видає дані одночасно з наступними який у цей час ідуть по першій лінії. Потім дані з першої лінії і з другий сумуються і накопичуються на комп'ютері.

2.2 Розрахунок принципової схеми.

Сигнал ИЗП поступает на вход ФУ которое представляет собой триггер, одновременно в регистр адреса поступает «такт» который, тактируя импульсы, дает возможность работать регистру адреса. Также одновременно ИЗП поступает на регистр адреса, который выдает запоминающим устройствам их адреса. Одновременно данные поступают на соответствующий вход ОЗУ. Попеременно включаясь за счет ФУ и регистра адреса ключи, выполненные на микросхемах логики, дают возможность данным накопленным в ОЗУ попадать на вход компьютера.

2.2.1 Обґрунтування і вибір елементної бази

Відповідно до функціональної схеми розробку принципової схеми, для її реалізації, необхідно виконати використовуючи наступні елементи.

Загальні зведення про елементи пристрою.

РЕГІСТРИ.

Регістром називається пристрій, призначене для введення (запису), збереження і видачі (зчитування) цифрового коду, вираженого у виді двійкового числа (слова).

Основними елементами регістра є двійкового комірки пам'яті, роль яких грають тригери різних типів.

Кількість двійкових осередків (тригерів) визначається кількістю розрядів двійкового числа, призначеного для введення в регістр. Якщо розряди двійкового числа записуються в осередки регістра одночасно, то його називають рівнобіжним чи регістром пам'яті. На рис 7.6, а, б приведена функціональна схема найпростішого двухразрядного рівнобіжного регістра.

У вихідному стані на шині «Уведення» маємо сигнал «0». Тоді на введеннях RS-тригерів установлюється «1» незалежно від комбінації сигналів (чи нулів одиниць) на введеннях х₁ і х₂ логічних елементів И-НІ, що характеризують інформацію, призначену для запису.

Рис. 2.2

Нехай на вході х₂ маємо логічний нуль, а на вході х₁ - логічну одиницю. Тоді при надходженні «1» на шину «Уведення» переключається елемент Э₁, і на вході RS-тригера Т₁ установлюється «0». Тригер Т₁ переключається в стан Q₁=1. На вході RS-тригера Т₂ залишається «1» і відповідно на виході Т₂ Q₁=0.

Таким чином, у тригерах записується і додаткова двоичная інформація, що надходить на входи регістра. На виходах регістра, що працює в режимі збереження, маються логічні нулі. При подачі «1» на шину «Висновок» переключиться елемент Э₃ і на вході в₂ залишиться «0». Отже, відбувається зчитування записаної інформації.

Більш економічним є послідовний регістр (регістр зрушення), у якому розряди двійкового числа записуються і зчитуються послідовно в часі - розряд за розрядом.

На мал. 7.7 приведені функціональна схема (а) і умовна позначка (б) трійкового послідовного регістра на D-тригерах. У крайньому ліворуч тригері зберігається інформація, що відповідає старшому розряду числа, а в крайньому праворуч - молодшому. На відміну від рівнобіжного регістра для введення багаторазрядної інформації в послідовний регістр використовується тільки один вхід D.

Надходження розрядів двійкового числа в регістр чергується з подачею тактових імпульсів на тактовий вхід С. Тимчасові діаграми, що ілюструють роботу послідовного регістра, приведені на мал. 7.7, в.

Нехай у вихідному стані на вході D діє логічна одиниця, що відповідає молодшому розряду числа. З надходженням тактового імпульсу його фронтом переключається тригер Т₁(Q₁=1), а стану тригерів Т₂ і Т₃ залишаються без зміни (Q₂=0, Q₃=0). У такий спосіб відбувається запис інформації в пам'ять тригера Т₁. Після закінчення дії логічної одиниці на вході стану тригерів регістра залишаються без зміни (інформація зберігається в першому тригері Т₁) до приходу наступного тактового імпульсу. З приходом другого тактового імпульсу його фронтом переключаються тригери Т₁ і Т₂(Q₁=0, Q₂=1), а стан тригера Т₃ не змінюється (Q₃=0). Інформація, записана в тригері Т₁, зрушується в тригері Т₂, а Т₁ виявляється підготовленим до приходу наступного розряду двійкового числа. З приходом наступного тактового імпульсу переключаються тригери Т₂ і Т₃ (Q₂=0, Q₃=1) і інформація молодшого розряду зчитується на виході тригера Т₃.

Мал. 2.3

У багатьох випадках при побудові арифметичних пристроїв необхідно здійснити зрушення інформації вліво. Послідовні регістри, що володіють здатністю здійснювати зрушення інформації в обох напрямках, називають реверсивними.

Тригер

Чи тригер бістабильна схема використовується головним чином як запам'ятовуючий елемент для збереження одного біта інформації. Фіксуючі схеми виконують ті ж функції й аналогічні найпростішим тригерам. Існують різні типи тригерів, і, хоча робота їхній описується в даному розділі на основі вентильних схем, у дійсності вони виконуються як окремі схеми, а не набираються цілком з вентильних структур.

На мал. 4.3 показані схеми RS-тригера, що може бути реалізований на двох вентилях ИЛИ-НІ чи И-НІ потрібно два додаткових інвертори. Всі інші типи тригерів, описувані в даному розділі, також можуть бути побудовані як на вентилях ИЛИ-НІ, так і на вентилях И-НІ, однак розглядатися будуть лишь схеми, побудовані на И-НІ. На мал. 4.3, м показана таблиця істинності, де й означають вихідні стани, що передують виникненню показаних нижче умов S і R, а й означають стану, що виникають слідом за встановленням цих умов. Таким чином, коли на входах S і R діє низька напруга (логічний 0), стан виходів і не змінюється. Допустимо, наприклад, що =1 (високий рівень), а =0 (низький рівень). Якщо на обох входах S і R діє 0, то обоє вентилі ИЛИ-НІ (або НЕ) будуть працювати просто як вентилі НЕ, оскільки діючий на вході сигнал =0, проінвертировавшись, дасть =1, а вхідний сигнал =1 дасть на виході =0. Таким чином, стан тригера в порівнянні з попереднім не зміниться. Якщо тепер у схемі на мал. 4.3, а S=0, а R=1, то сигнал R установить вихід вентиля G₁ у 0, а логічний 0, що діє на обох входах G₂ логічний 0, що надходить на вхід G₄. Завдяки цьому могтиме 1, а логічні 1, що діють на обох входах G_3, дадуть =0. Подібним чином можна показати, що для обох варіантів тригера при S=1, і R=0 вихідні стани будуть =0 і =1. Вхід S зветься входу установки, оскільки він установлює вихід у стан 1, вхід R називається входом скидання, тому що він скидає в стан 0. Неважко помітити, що, після того як виходи будуть встановлені в 1 чи 0, сигнали про входів можуть бути зняті, тобто вони можуть повернутися в стан 0. Вихід залишається в колишньому стані, і, отже, така схема виконує функцію запам'ятовуючого елемента.



Мал. 2.4

Коли на обох входах S і R діє логічна 1, обидва виходи в схемі на мал. 4.3, а встановлюються в стан 1, а в схемі на рис 4.3, б - у стан 0. Однак після того як входи S і R повернутися в стан 0, на усіх вентилів ИЛИ-НІ буде діяти 0, а на усіх входах И-НІ - 1. У результаті виникне режим «гонок», коли кожен вентиль прагне змінити свій стан. Той який це робить першим, зафіксує тригер у відповідному положенні, запобігаючи подальші зміни. Однак пророчити кінцевий стан неможливо, оскільки воно визначається часом затримки вентилів. У зв'язку з цим у багатьох схемах стану входів S=1, R=1 є забороненими.



Мал. 2.5. Двухпечатный триггер. а - реалізація на схемах И-НІ; б-умовне позначення; в-форма сигналу; г-таблиця істинності

Схема більш складна, але що забезпечує підвищене в порівнянні з RS-тригером швидкодія показана на мал. 4.4. Вона являє собою двоступінчастий тригер, що містить два звичайних тригери, включених послідовно. Коли тактовий вхід знаходиться в стані 1, вентилі G₁ і G₂ будуть включені, а G₅ і G₆ відключені за допомогою інвертора G₉. Це означає, що, коли змінюється стан ведучого тригера, обумовлений виходами і , стан відомого, обумовленими виходами і , залишається незмінним. Коли тактовий сигнал стане рівним нулю, включаться вентилі G₅ і G_6, а G₁ і G₂ відключаться. Таким чином, входи S і R відключаться, а інформація буде переписана з ведучого тригера у відомий, у результаті чого буде дорівнює , а =. Двоступінчаста робота забезпечує підвищену швидкодію, що зв'язане з тим, що сигнали на входах тригера необов'язково повинні зберігати свій стан протягом усього тактового інтервалу, як це потрібно в тактируемом RS-тригері, а можуть змінити його під час перезапису з ведучого тригера у відомий.

Всі описані вище тригери мають на виході невизначений стан, коли на обох виходах одночасно діє 1. Уникнути цієї ситуації дозволить застосування JK-тригера, схема якого показана на мал. 4.5. Зображені на ній вентилі G₃ - G₆ аналогічні відповідним вентилям RS-тригера. Розходження зв'язані з вентилями G₁ і G_2, що керуються сигналами зворотного зв'язку і . Припустимо, що =0, а =1. Це означає, що, якщо на обох входах J і K буде діяти 1, S буде дорівнює 0, а R=1. Таким чином, у результаті тактуючего імпульсу стан на 1, а на 0. Таким чином, коли на входах J і K діє логічна 1, вихід тригера з кожним тактовим імпульсом змінює свій стан на протилежне. Такий режим зветься рахункового. З таблиці на мал. 4.5, у видно, що, за винятком, умови, коли J=1 і K=1, робота JK-тригера аналогічна роботі RS-тригера. Двоступінчасті JK-тригери, аналогічні їх RS прототипам, випускаються промисловістю у виді функціональних мікросхем. Тут вони розглядатися не будуть.

Мал. 2.6. JK-тригер.

а - реалізація на схемах И и НЕ; б - умовна позначка; в-таблиця істинності.



Мал. 2.7 D-тригер

а - реалізація на основі JK-тригера; б - умовна позначка; в-таблиця істинності.

Модифікація JK-тригера, що зветься D-тригера, показана на мал 4.6. Вона має лише один керуючий вхід, що носить назву D-входу, і один тактуючий вхід. Сигнал на D-вході розгалужується за допомогою інвертора G₁на прямої й інверсний сигнали, що потім подаються на ланцюзі J-K чи R-S. Таким чином, якщо на вході D діє логічний 0, то по наступному тактовому імпульсі вихід установиться в стан =0 і =1, а при логічної 1 на вході D стан виходу буде протилежним. D - тригер може мати лише два JK (чи RS) - режими, тобто J (чи S)=1, K (чи R)=0 чи J (S)=0, K (R)=1. Наявність тільки одного входу є великою перевагою D - тригера, тому що дозволяє зменшити число взаємних з'єднань при побудові великих систем.

Комірки пам'яті з довільною вибіркою (ОЗУ)

У цьому розділі описуються структури основних комірок пам'яті, використовуваних у ЗУ з довільною вибіркою зчитування - запис. Збереження біта інформації може бути здійснюватися двома способами. При першому використовуються пристрої з перехресними зв'язками типу тригерів. При другому як елемент збереження заряду використовується конденсатор. Їх відносять відповідно до статичним і динамічної ЗУ, причому в другому випадку, мабуть, потрібно періодичне відновлення напруги на конденсаторі, оскільки заряд з його поступово стікає.

Обоє, і статичні і динамічні ЗУ, можуть будується на біполярних чи польових приладах.

Біполярні статичні ЗУ

На мал 5.6.а зображена схема основної запам'ятовуючої осередку триггерного типу, у якій для вибірки використовуються багатоемитерні транзистори. Не стосуючись поки питання про вибірку, припустимо, що, коли напруга харчування включена, відкривається транзистор Т₁, а транзистор Т₂ при цьому закритий, і цей стан буде зберігатися, поки не буде відключена напруга харчування. Таким чином, осередок запам'ятовує інформацію, тобто має пам'ять. Конденсатори З1 і З2 є паразитними елементами, і їх на цій стадії розгляду можна не враховувати.

Інформація, збережена в осередку, зчитується із шин бітов 1 чи 0. Якщо на шині слів напруга дорівнює 0, то струм осередку буде йти до шини землі через нижній емиттер транзистора, а не через шини зчитування. Осередок при цьому не обрана, тобто адресація, чи звертання, відсутній. При адресації осередку на шину слів подається позитивна напруга. Якщо спочатку транзистор Т1 був відкритий, а Т2 закритий, то цей стан залишається незмінним, але струм у шині зчитування 1 буде більше, ніж у шині 0. Диференціальний струм може бути лічений і використаний для індикації стану збереженої інформації.



Мал. 2.8. Біполярні статичні запам'ятовуючі осередки

а - осередок на багатоеміттерних транзисторах; б - осередок на багатоеміттерних транзисторах про X-Y-адресацію; в-осередок зі схованим зображенням; г - осередок зі спареними діодами; д - ненасичений осередок ЭЛС.

Якщо напруга на адресній шині дорівнює 0, то стан шини біт не впливає на стан запам'ятовуючої осередку. Щоб змінити інформацію в осередку, тобто виключити транзистор Т1 і включити Т2 у даному прикладі, необхідно підвищити напругу на шині бітов 1 і понизити на шині 0 і одночасно з цим збільшити напругу на шині слів для здійснення вибірки. При цьому тригер встановлюється в бажаний стан, що потім зберігається і після того, як потенціал на шині слів знову стане нульовим.

Існує багато способів організації пам'яті. Більш докладно вони будуть описані в розд. 5.6. Часто сама організація визначає структуру комірки пам'яті. Наприклад, якщо бажана адресація по координатах X-Y, при якій осередок вибирається лише при порушенні в матриці двох шин, то використовують структуру, показану на рис 5.6, б. Цей принцип дуже схожий на адресацію шиною слів, але тут для здійснення вибірки обидві шини X і Y повинні придбати позитивний потенціал. Якщо на кожній із шин потенціал дорівнює 0, то струм, що протікає через осередок, не впливає на шини зчитування. В обох описаних осередках із багатоемітерні транзисторами важливо те, що опір резисторів R1 і R2 повинно бути мало, щоб забезпечити великий струм через осередок і, таким чином, підвищити швидкість зчитування. Звідси випливає, що у швидкодіючих ЗУ розсіюється значна потужність.

Повернемося до мал. 5.6, а і розглянемо роль конденсаторів З1 і З2. Очевидно, що при відповідному виборі параметрів резисторів і конденсаторів, можна побудувати осередок з нерівними постійними часу так щоб при включенні харчування завжди відкривався той самий транзистор. Такі елементи називаються осередками зі схованим зображенням і звичайно застосовуються в системах, що вимагають періодичного доступу до інформації з постійним форматом. Якщо цей формат знаходиться при першому включенні харчування, то більше нічого не потрібно. Якщо ж він повинний використовуватися в процесі роботи, то для його одержання потрібно імпульсне вимикання і включення ЗУ. У цих випадках можна використовувати й інший осередок зі схованим зображенням, зображену на мал 5.6, в. У ній діод з'єднаний з базою транзистора і може використовуватися для установки комірки пам'яті в одиницю. При нормальній роботі напруга на аноді діода дорівнює 0 і його перехід виявляється зміщений у зворотному напрямку, а отже, у роботі осередку він не бере участь. Щоб переключити осередок на латентне зображення, на анод подається імпульс позитивного положення, і при цьому транзистор Т1 включається незалежно від попереднього стану. Діод Д1 може бути сформований за рахунок процесів Шоттки усередині колекторних областей одиничних транзисторів пам'яті і, отже, для нього не потрібно додаткового простору на кремнієвому кристалі.

Пристрій осередку, що має високу швидкодію і низький рівень потужності, що розсіюється, показано на рис 5,6, м. Напруга U1 більше U2, а величина напруги харчування на шині слів дорівнює звичайно проміжному значенню цих двох величин. Тому діоди Д2 И Д2 зміщені в зворотному напрямку. Інформація в осередку може запам'ятовуватися і зберігатися в ній, поки не відключена напруга харчування. При зчитуванні шина слів заземлюється. У цьому випадку через шини бітов від U2 йде великий диференціальний струм і стан на шинах може бути лічене з метою встановлення полярності збереженої інформації. При записі в осередок потенціал шини слів знову знижується, а потенціал однієї із шин бітов підвищується, щоб уключився відповідний транзистор. Оскільки струм зчитування протікає через діоди Д1 і Д2, опору резисторів осередку можна збільшити, щоб знизити розсіювання потужності, але при цьому треба стежити, щоб це не сильно позначилося на швидкодії. Хоча на схемі для цього осередку показана адресація шиною слів, безумовно, можна також ввести і X-Y - вибірку по координатах, використовуючи багатоеміттерні транзистори.

В всіх осередках, описаних дотепер, застосовані насичені транзистори з присадками золота. Використання приладів Шоттки при цьому дає можливість підвищити швидкодія. Однак для роботи з дуже високою швидкодією вимагаються осередки ЭСЛ. Такий осередок зображений на мал. 5.6, д. Резистори R1 і R2 вибираються таким чином, щоб при заданому в ланцюзі постійному струмі насичення транзисторів було б виключене. Коли адресація відсутня, напруга на шині слів відсутня, напруга на шині слів відносно мало і рівень потужності, що розсіюється, невеликий. При опитуванні на шину слів подається висока позитивна напруга. Воно викликає великий диференціальний струм у шинах бітов, полярність цього струму залежить від стану транзисторів, що при цьому не змінюється. Як і колись, цей струм можна використовувати для зчитування. При записі інформації потенціал однієї шини бітов підвищується, а іншої знижується, і одночасно знижується, і одночасно здійснюється звертання до осередку, що переводить осередок у потрібний стан.

Статистичні ЗУ на польових транзисторах.

У статистичних ЗУ на польових приладах, так само як і на біполярних, основним елементом збереження інформації є тригер. На мал. 5.8, а зображений осередок, у якій запам'ятовуючий елемент утворений транзисторами Т3 і Т4, а Т1 і Т2 є навантаженням. Шини бітов підключаються до осередку через селектирующі транзистори Т5 і Т6. При зчитуванні інформації з ЗУ на р-Моп-транзисторах на шину вибору слів подається негативна напруга, що відкриває транзистори Т5 і Т6. При цьому з'являється диференціальний струм у шинах бітов здобувають стан 0 чи 1, а ЗУ переходить у необхідний стан. Затвор навантажувального транзистора може бути підключений до Uс чи до окремого джерела напруги Uз. Достоїнство цієї схеми полягає в тім, що коли осередок не обраний, Uз може бути імпульсним і транзистори Т1 і Т2 відкриті лише протягом нормального робочого циклу, причому в проміжках стан пам'яті зафіксований зарядом паразитних конденсаторів затворів транзисторів Т3 і Т4. осередок при цьому працює в напівдинамічному режимі і розсіює значно меншу потужність. Варіант базової запам'ятовуючої осередку, призначений для адресації X-Y, показаний на мал. 5.8, б. Тут, виявляється, необхідно додати ще два транзистори і, отже збільшити розмір осередку. Однак схема адресації спрощується.

Комірка пам'яті, зображена на мал. 5.8, у, схожа на осередок на мал 5.8, а, але режим роботи навантажувальних транзисторів Т1 і Т2 у неї іншої. В усіх цих комірках пам'яті інформація на ємністях затворів транзисторів Т3 і Т4, а навантажувальні транзистори служать для компенсації витоку заряду з цих ємністях. Цей витік дуже малий, тому навантажувальні транзистори можна виготовити високоомними. Це, однак, означає, що вони будуть займати значну площу на чипі, тому необхідно знаходити якийсь компроміс між розміром осередку і рівнем потужності, що розсіюється. Навантажувальні транзистори, показані на мал. 5.8, у, працюють за принципом накачування заряду, що дозволяє підвищити їхній еквівалентний опір і при цьому зберегти малий обсяг. Помітимо що в цих транзисторів обірвані ланцюги стоків і сто на їхні затвори подається від генератора перемінна напруга з амплітудою близько 15 В и частотою від 500 до 800 кгц. Коли на затвор подається позитивна напруга, у приладах на n-Моп-структурах під затвором формується канал. При негативній напрузі відбувається рекомбінація, і канал зникає. У процесі рекомбінації частина неосновних носіїв не встигає рекомбінувати, що приводить до появи невеликого струму від підкладки до джерела. Цього струму цілком достатньо для компенсації витоку з конденсаторів у запам'ятовуючій осередку, і в той же час він настільки малий, що задовільний рівень потужності, що розсіюється, можна одержати без необхідності вживати заходів, звичайні для динамічного режиму.



Мал. 2.9. Уніполярні статичні осередки ЗУПВ.

а - осередок з адресацією словом; б - осередок з X-Y - адресацією; у - осередок із зарядовим накачуванням; г - осередок на Кмоп-транзисторах; д - осередок зі схованим зображенням

На мал. 5.8, м показана інша комірка пам'яті з малою потужністю, що розсіюється, у якій використані комплементарні Моп-транзистори. Розсіювання в таких осередках мало, завдяки тому що в будь-якій парі, що інвертує, відкритий лише один прилад, р-канальний чи n-канальний, причому при використанні транзисторів з малим опором каналів, коли забезпечується достатня провідність, швидкодія схеми велика. Як і раніш, може бути використана адресація шини чи слів X-Y. Це застосовно і для осередків зі схованим зображенням, показаних на мал. 5.8, д, у яких опір транзисторів Т1 і Т2, а також величини З1 і З2можна підібрати такими, щоб при включенні харчування кожної з транзисторів, Т3 чи Т4, завжди відкривався першим. Неважко бачити, що принцип роботи цих пристроїв такої ж, як і біполярних приладів, показаних на мал. 5.6.

У даному випадку в тригер використовувався серії 155 як найбільш розповсюдженої і придатний для приладу.

Серія К537

Тип логики ОЗУ.

Состав серії:

К537РУ1А, К537РУ1Б, К537РУ1В - оперативне запам'ятовуюче пристрій з інформаційною ємністю 1024 біт (1024 слова х 1 розряд).

Корпус: прямокутний металокерамічний 402.16-18.

Висновки: адресні входи - 1; 8: 9-16; вхід даних - 2; дозвіл запису - 3; вихід даних - 4; загальний - 5; вибір мікросхеми - 6; + U_{и п} - 7.

Напруга джерела харчування: 5 В 10%.

Електричні параметри приведені в табл. 2.164-2.165.

Мал. 3.1 Тимчасова діаграма контролю мінімального часу циклу чи запису зчитування

ИС серії К537

Гранично припустимі електричні режими експлуатації

Вхідна напруга:

Не більше …………………………………………………4,5…5,5+0,2В

(але не більш 6В)

не менш …………………………………………………………… - 0,5 В

Напруга, прикладена к виходу:

Не більш…………………………………………………….. 4,5…5,5+0,2В

(але не більш 6В)

не менш……………………………………………………………… - 0,5 В

напруга джерела харчування, не більш……………………………6 В

Таблиця 2.1

параметр	К537РУ1А	К537РУ1Б	К537РУ1В	Режим измерения
				Т, оС	Uи п, В	Uвх, В	f, кГц
Iпот ст, мкА, не более 1) Iпот дин, мкА, не более f, кГц, не более2) tв сч, мкс, не более tзп, мкс, не более3) Свх, Свых, пф, неболее U0 вых, U1вых, В, не более не менее	25 100 2,5 835 0,8 1,2 0,4 0,6 10 0,35 2,3	25 100 2,5 500 1,3 1,95 0,6 0,9 10 0,35 2,3	25 100 2,5 250 2,5 3,75 1,2 1,8 10 0,35 2,3	+25-60 +85 +25 +25 +25, - 60 +85 +25, - 60 +85 +25 +25 +25	6 5,5 4,5.. 5,5 4,5 4,5 0 4,5 4,5	- 0,4 0,4 0,4 0,4 - 0,4 0,4	- 2,4 2,4 2,4 2,4 - 2,4 2,4	500 (К537РУ1А) 250 (К537РУ1Б) 250 (К537РУ1В) - 250 250 (К537РУ1А) 250 (К537РУ1Б) 100 (К537РУ1В) 10 000 - -

¹⁾ R_н=4,6 кОм, в ОЗУ повинні бути записані все «1» чи все «0».

²⁾ Вихідна інформація інвертована відносно вхідної. Час затримки імпульсу «вибір мікросхеми» по відношенню к коду адреса не менш 100 нс.

³⁾ R_н=4,6 кОм, С_н=30 пФ (між висновками 4 и 5).

Таблиця 2.2

Тип микросхемы	Временные параметры при контроле минимального времени цикла записи или считывания
	tx	t1	t2	t3	t4	t5	t6
	не
К537РУ1А К537РУ1А К537РУ1А	1300 2000 4000	200 300 600	900 1400 2800	200 300 600	400 600 1200	800 1230 2460	50 77 144

2.3 Розрахунок показників надійності Міжперіодного корелятора

Метою розрахунку показників надійності є визначення імовірності безвідмовної роботи за 2000 ч роботи корелятора.

Критеріями відмовлень є збій функціонування:

1) по функції перетворення вхідних аналогових сигналів;

2) по функції програмного включення і вимикання технологічного устаткування;

3) по функції програмного включення і вимикання сигнального устаткування і ручного устаткування;

4) по функції введення параметрів.

Закон розподілу часу безвідмовної роботи приймається експонентний.

Імовірність безвідмовної роботи для етапу нормальної експлуатації, коли не позначається знос, старіння, утома елементів визначається по формулі [24,25]:

,

де t - час роботи, рівне 2000 г.;

n - кількість елементів схеми розрахунку;

эi - інтенсивність відмовлень i-го елемента в умовах експлуатації.

Інтенсивність відмовлень в умовах експлуатації відповідно до галузевої методики Мінелектронпрома визначається вираженням:

э = о * Кр * Кэ * Ку,

де o - інтенсивність відмовлень виробів при іспитах у режимі номінальних значень (гранично припустимих) електричного навантаження і температури навколишнього повітря;

Кр - коефіцієнт режиму, що характеризує залежність надійності від робочих значень електричного навантаження і температури навколишнього середовища;

Ке - експлуатаційний коефіцієнт, що враховує вплив комплексу зовнішніх факторів, що впливають;

Ку - коефіцієнт росту надійності, що враховує зменшення величини o результаті систематичних робіт з підвищення якості і надійності (на три роки Ку=0.7).

Значення о, Кр, Ке, Ку приймаються по довідкових матеріалах Мінелектронпрома, а також враховуються дані і рекомендації ДСТ 25 160-81, РТМ 25.446.81 і СТП 3РО-098-81.

Для досягнення розрахункових показників в умовах експлуатації поряд з дотриманням регламенту технічного обслуговування необхідно забезпечити технологічне приробляння виробу на підприємстві-виготовлювачі для виявлення неякісних елементів.

Необхідний час приробляння t_пр визначається по формулі:

t_пр = t_g (1+1/2+1/3+ … +1/n_g),

де t_g - середній наробіток на відмовлення кожного з дефектних елементів;

ng - середня кількість дефектних елементів корелятора а частоти по функції, що розраховується.

Таблиця 2.3 - Розрахунок показників надійності

Найменування елементів	o*106 1/г	Ку	Ке	Кр	е*106 1/г	n шт.	n*е*106 1/г
1. Транзистори КТ	0.15	0.7	1	0.2	0.021	7	0.189
3. Резистори МЛТ	0.04	0.7	1	0.03	0.00084	30	0.0109
4. Конденсатори КМ-5	0.04	0.7	1	0.03	0.00084	4	0.0109
6. Мікросхеми К537	0.2	0.7	1	0.2	0.028	3	0.084
7. Мікросхеми К155	0.2	0.7	1	0.2	0.028	3	0.084
9. Контакти і з'єднання РПП, РГIН-1-5	0.013	-	0.5	0.2	0.0013	60	0.72
10. Пайка елементів до плати	0.0004	-	0.5	1.0	0.0002	250	0.05

Розрахунок показників надійності корелятора а частоти виробляється за логічною схемою мал. 4.2 і даним, приведеним у табл. 4.1:

Мал. 4.1 Логічна схема розрахунку надійності корелятора.

де 1…8 - по пунктах табл. 2.3 відповідно.

У розрахунку не враховуються конденсатори, установлені між шинами харчування.

Імовірність безвідмовної роботи корелятора а частоти Р(t) за 2000 годину дорівнює

,

тому

^.

Середній наробіток на відмовлення при цьому дорівнює

годин

Така висока надійність, безумовно, задовольняє споживача. При правильній експлуатації пристрій має достатню надійність і не вимагає повсякденного обслуговування. Для забезпечення нормальної тривалої роботи корелятора необхідне проведення регламентних робіт.

2.4 Технологічний розділ

Технологія зборки корелятора

Технологічний процес зборки корелятора являє собою сукупність операцій, спрямованих на одержання закінченого функціонального вузла у виді субблока, призначеного для установки в каркас. Сам синтезатор виготовлений на друкованій платі. Застосування друкованого монтажу в радіоелектронній апаратурі і приладах підвищує їхня надійність і забезпечує повторюваність параметрів від зразка до зразка.

Для даного пристрою розроблена двостороння друкована плата. В даний час для виготовлення таких плат застосовується комбінований метод, що містить у собі два способи виготовлення: негативний і позитивний. Для виготовлення застосовується комбінований негативний спосіб. Технологічний процес одержання двосторонньої друкованої плати комбінованим негативним способом складається з наступних етапів:

- одержання заготівель і підготовка поверхні фольги;

- нанесення на плату захисного покриття (фоторезисту);

одержання зображення друкованих провідників експонуванням і проявом;

видалення незахищених ділянок фольги травленням;

видалення фоторезисту з провідників;

нанесення на підставу захисного покриття;

обробка отворів;

гальванічна металізація отворів і друкованих провідників;

покриття друкованих провідників сплавом олово-свинець;

механічна обробка контурів плати.

Вимоги до основних технологічних операцій одержання друкованих плат визначені ДСТ 23752-79; ДСТ 23663-79; ДСТ 23664-79; ДСТ 23665-79.

При зборці корелятора особлива увага необхідно приділити монтажу транзисторів.

Загальні технічні вимоги:

1. Роботи з виготовлення корелятора - лудіння, пайка, очищення від залишків флюсу робити на робочих місцях, обладнаних витяжною вентиляцією.

2. На робочому місці повинні знаходяться матеріали, інструмент, документація, необхідні для виконання роботи відповідно до технологічних операцій.

3. Операції, виконувані з напівпровідниковими приладами і вузлами на їхній основі, виконувати тільки при наявності браслета що заземлює, надягнутого на зап'ястя руки виконавця.

4. Монтаж елементів робити електропаяльником з терморегулятором типу 92.02.33.007 36 В 45 Вт чи ЭПЦН 40/36 В чи паяльником без терморегулятора за умови забезпечення постійної температури стрижня.

5. Перевірку температури робочої частини стрижня електропаяльника, припоя у ванні для лудіння робити до початку роботи.

6. Стрижень електропаяльника повинний бути заземлений.

7. Робоча частина стрижня електропаяльника повинна бути полуджена і мати рівну поверхню без заусенців і раковин.

8. Робочу частину стрижня електропаяльника в процесі пайки очищати від нагару об бавовняну серветку ДСТ 11680-76. Очищення робочої частини струшуванням заборонене.

9. Використовувати припой ПОС-40 (ПОС-60) ДСТ 21931-76 із застосуванням бескислотного флюсу.

10. Демонтаж елементів синтезатора робити тільки з дозволу ОТК і з наступною здачею ОТК.

11. При демонтажі радіоелемента не повинні бути ушкоджені поруч розташовані радіоелементи.

12. Маркірування радіоелементів повинне бути видимої.

13. Пайку напівпровідникових приладів і конденсаторів робити за допомогою теплоотводів. Знімати теплоотвід не раніше 5 секунд після пайки.

14. При установці радіоелементів підігнуті кінці розташовувати уздовж провідників.

15. Висновки діаметром 0,7 мм, а також висновки багатовивідних елементів більш 4-х не підгинати.

16. Електромонтаж елементів на субблоке робити тільки в рамці поворотного пристосування монтажного столу.

17. Пайка повинна бути кістякової, без пір, забруднень, сторонніх включень і патьоків припоя, гострих виступів і перемичок припоя.

18. Межопераціону транспортування субблока робити в рукавичках трикотажних.

Технологія перевірки Міжперіодного корелятора

У разі потреби виміру напруг, струмів, видаваних окремими елементами, необхідно користатися для підключення генераторів, вольтметра, амперметра, осцилографа гострими щупами, тому що замикання поруч розташованих контактів може викликати несправність пристрою.

При нормальній експлуатації корелятора забезпечує сталість параметрів, не потребуючі регулювання в процесі роботи протягом часу всього ресурсу.

Технологія виготовлення деталей міжперіодного корелятора

Конструктивно задає пристрій радара НР розміщено в декількох стандартних стійках, у яких убудовані модулі і субблоки під розроблені друковані плати. При виготовленні пристрою витримані вимоги ДСТ 25123-82 «Порядок побудови обчислювальних машин і систем» і ДСТ 24750-81 «Загальні вимоги технічної естетики». Для виключення деформації друкованої плати використовуємо каркасну конструкцію блоку. Основу конструкції складають литі алюмінієві рамки. Рамки скріплені між собою фігурними планками з вирізами для індивідуальних направляючих, що дозволяють уставляти друковані плати. На напрямних знаходяться качани електричних з'єднувачів і елементи кодування, що запобігають неправильну установку друкованих плат. Особлива увага варто приділити утворенню твердих кутових з'єднань. Зі смугової сталі виготовляється скоба, що згодом полірується. Кронштейн для ручки і ручка виготовляються зі сталевих прутків механічною обробкою. Підстава і кришка виготовляються механічною обробкою.