Архітектурні пам'ятки і визначні місця Полтави. Соціально-економічне становище Полтавщини в ХІХ ст. Розвиток ремесел та промислів на Полтавщині в І пол. XIX ст. Ярмарки та їх роль у розвитку торгівлі в області. Культура та освіта Полтавщини в ХІХ ст.

Использование в швейной промышленности машин-полуавтоматов. Предназначение машины 220 класса для изготовления закрепок, 25 класса для обметывания прямых петель и 62761 "Минерва" для обметывания петель с глазком. Изучение структурных схем механизмов.

Порядок сдачи налоговых деклараций. Когда электронные декларации считаются отправленными в инспекцию. Как бухгалтеру отчитаться за предпринимателя. Налог на добавленную стоимость. С подарков сотрудникам НДС платить придется.

Изучение природных ресурсов Жамбылской области. Анализ качества воды, воздуха, уровня шума и вибрации. Исследование результатов питьевой воды на вахтовом городке. Отбор проб природной воды в реке. Мониторинг растительного и животного миров, флоры и фауны.

Породы кошек, относящиеся к виду полудлинношерстных. Развитый подшерсток, гибкость и подвижность. Одна из древнейших пород из Турции – турецкая ангора. Мейн-кун - естественная порода кошек с дружелюбным характером. Японский бобтейл и бирманская кошка.

Полукокс - основной продукт процесса низкотемпературного пиролиза. Полукоксование - процесс термической переработки твердого топлива (каменного угля, бурого угля, сланцев) без доступа воздуха. Факторы, влияющие на выход, качество продуктов полукоксования.

Техника преобразования активного электрического сопротивления в постоянное напряжение электрического тока. Основная погрешность преобразования. Падение напряжения на изменяемом сопротивлении. Источник опорного напряжения. Расчет источника питания.

Принцип радиолокационной съемки с синтезированной апертурой. Полунатурное моделирование зондирующих и отраженных сигналов. Способы генерации высокочастотных сигналов, модулированных сигналами произвольной формы. Этапы испытания макета фрагмента РСА.

Характеристика и основополагающие свойства силовых подгрупп конечных групп, определение и доказательство соответствующих лемм. Понятие и свойства супердобавлений. Строение группы с максимальной и силовской подгруппой, обладающей супердобавлением.

Семейства полуобезьян и обезьян места их обитания на планете. Их предки. Практическое значение приматов. Уровень психического развития человекообразных обезьян. Возможность дрессировки шимпанзе. Виды тупайевых, лемуровых, мартышкообразных и гиббоновых.

Описание конструкции полупогружной плавучей буровой установки (ППБУ). Расчет сил и нагрузок, действующих на ППБУ. Выбор типа многоякорной системы позиционирования. Оценка смещения плавучего сооружения под действием нагрузок. Расчет площади парусности.

Простое расширение Q+(a). Минимальное соотношение алгебраического элемента над полуполем рациональных неотрицательных чисел. Однопорожденные полуполя. Структура простого расширения полуполя неотрицательных рациональных чисел.

Полупроводники n- и p-типа, методы получения и их зонные диаграммы. Основные и неосновные носители зарядов. Прохождение тока через полупроводники с разным типом проводимости. Виды транзисторных технологий, методика изготовления и область применения.

Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.

Способность диэлектриков проводить электрический ток, характер движения электронов, переходы. Определения механизма проводимости — наблюдение тока в магнитном поле, определение знака термоэлектродвижущей силы. Проводимость первого и второго порядка.

Строение, электрические свойства полупроводников и их отличия от металлов. Собственная и примесная проводимость. Полупроводниковые приборы: диод, фотодиод, транзистор, термистор. Коэффициент тепловой связи. Статические вольт-амперные характеристики.

Определение относительной концентрации атомов донорной примеси полупроводника, уменьшение концентрации избыточных электронов на расстоянии; удельные сопротивления областей полупроводника. Режим работы и схема включения транзистора, полярность напряжений.

Электропроводимость полупроводников. Образование электронно-дырочной проводимости и ее свойства. Условное обозначение полупроводниковых приборов, классификация и основные параметры. Биполярные и МОП транзисторы. Светоизлучающие приборы и оптопары.

Строение полупроводников - материалов, которые по своей удельной проводимости занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками. Электронная проводимость, обусловливаемая наличием у полупроводника свободных электронов. Донорные примеси.

Строение твердого тела. Понятие об энергетических уровнях. Классификация тел по электропроводности. Механизм образования электронной и дырочной проводимости. Примесные и собственные полупроводники. Области применения полупроводниковых материалов.

Анализ полупроводниковых выпрямительных устройств. Силовая часть однофазного управляемого выпрямителя. Регулировочная характеристика управляемого выпрямителя. Функциональная и принципиальная схемы системы управления однофазного лабораторного модуля.

Электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами. Выпрямительные диоды. Полупроводниковый стабилитрон. Туннельные и обращенные диоды. Варикапы. Расчет электрических цепей с полупроводниковыми диодами.

Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем. Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела. Кристаллическое строение полупроводников. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика п-р перехода.

Классификация диодов в зависимости от технологии изготовления: плоскостные, точечные, микросплавные, мезадиффузионные, эпитаксально-планарные. Виды диодов по функциональному назначению. Основные параметры, схемы включения и вольт-амперные характеристики.

Напряжение тока и сопротивление диода. Исследование вольтамперной характеристики для полупроводникового диода. Анализ сопротивления диода. Измерение напряжения и вычисление тока через диод. Нагрузочная характеристика параметрического стабилизатора.

Понятие гетеропереходов как поверхностей раздела между двумя полупроводниками с различными запрещенными зонами. Физическая особенность гетеропереходов, примеры гетероструктур. Формирование квантовой ямы для электронов. Электронные зоны в сверхрешетках.

Структуры с квантовым ограничением за счет внутреннего электрического поля. Модуляционно- и дельта-легированные структуры. Баллистический транспорт носителей заряда. Схематическая зонная диаграмма квантовой ямы. Строение полупроводниковых сверхрешеток.

Исследование методов формирования полупроводниковых квантовых точек. Анализ возможности их применения в электронных приборах: лазерах, одноэлектронных транзисторах, элементах памяти наноразмеров. Размерное квантование энергии электронов. Квантовые ямы.

Инжекционный механизм накачки. Величина смещающего напряжения. Основные характеристики полупроводниковых лазеров и их группы. Типичный спектр излучения полупроводникового лазера. Величины пороговых токов. Мощность излучения лазера в импульсном режиме.

Рассмотрение типового учебного, тематического и календарно-тематического планов распределения занятий по предмету "Материаловедение и электрорадиоматериалы". Составление плана-конспекта и методики проведения урока на тему "Проводниковые материалы".