Производство полупроводниковых приборов
Технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Изготовление полупроводниковых пластин. Установка кристаллов в кристаллодержатели. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов. Проверка качества и электрических характеристик.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 24.11.2013 |
| Размер файла | 3,0 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
8. Испытания приборов
Для оценки параметров и надежности приборов до их поступления в отдел технического контроля, производят электрические, климатические и механические испытания. Для этого применяют различное высокотехнологичное оборудование и приборы. Они важны для правильной информации о качестве и надежности приборов. Кроме того каждая технологическая операция сопровождается контролем качества обработки.
Отечественный тестировщик полупроводниковых пластин: Зонд - А5
Заключение
В данной курсовой работе рассмотрены основные способы производства полупроводниковых приборов. От получения заготовки - монокристалла, до готового изделия т.е. транзистора, диода, ИМС.
На самом деле методов изготовления полупроводниковых приборов гораздо больше и они постоянно развиваются, особенно в настоящее время, когда основной упор в развитии полупроводниковых приборов сделан на уменьшение габаритных размеров компонентов при тех же характеристиках. Современные компоненты электронных схем, так называемые SMD компоненты (детали поверхностного монтажа), позволяют выполнять функциональные, компактные изделия, а микросхемы объединяют в своем корпусе более 10 тысяч элементов и целые функциональные блоки. Яркими представителями современной электроники являются современные планшетные компьютеры и смартфоны (smart - умный).
Список используемой литературы
1. Березин А.С., Мочалкина О. Р.: Технология и конструирование интегральных микросхем. - М. Радио и связь, 1983. - 232 с., ил.
2. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. - М.: Радио и связь, 1991. - 528 с.: ил.
3. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для вузов. - М.: Радио и связь, 1989. - 400 с., ил.
4. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование.: под ред. Л.А. Коледова. - М.: Высш. шк., 1984. - 231 с., ил.
5. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2000 - 488 с., ил.
6. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: Учебник ля вузов. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Радио и связь, 1987. - 464 с.: ил.
7. http://alnam.ru/book_elct. Технология производства полупроводниковых приборов.
8. http://www.chemport.ru Полупроводниковые приборы.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.
реферат [17,9 K], добавлен 14.02.2003Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.
лекция [297,5 K], добавлен 19.11.2008Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов.
реферат [72,5 K], добавлен 14.03.2010Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.
курсовая работа [3,1 M], добавлен 28.03.2016Изучение конструкции и принципов работы опто-электрических полупроводниковых преобразователей энергии. Наблюдение специфического отличия статических характеристик приборов от просто полупроводниковых аналогов на примере оптоэлектронной пары (оптронов).
лабораторная работа [636,9 K], добавлен 24.06.2015Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиальная схема лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 20.11.2013Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.
дипломная работа [4,8 M], добавлен 16.05.2013Параметры интегральных полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов в интервале температур 250-400К. Величина контактной разности потенциалов. Толщина квазинейтральной области. Глубина залегания эмиттерного перехода. Транзисторы с p-n переходом.
курсовая работа [270,1 K], добавлен 19.02.2013Эксплуатация полупроводниковых преобразователей и устройств: недостатки полупроводниковых приборов, виды защит. Статические преобразователи электроэнергии: трансформаторы. Назначение, классификация, виды, конструкция. Работа трансформатора под нагрузкой.
лекция [190,2 K], добавлен 20.01.2010Особенности и основные этапы производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах. Описание этапов планарно-эпитаксиальной технологии в производстве полупроводниковых ИС. Основные сведения об элементах структур полупроводниковых ИС и БИС.
презентация [155,5 K], добавлен 24.05.2014
