Исследование нелинейно-оптических процессов в неоднородных средах на основе пористых полупроводников
Кремний как материал современной электроники. Способы получения пористых полупроводников на примере кремния. Анализ процесса формирования, методов исследования, линейных и нелинейных процессов в неоднородных средах на основе пористых полупроводников.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | дипломная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 18.07.2014 |
| Размер файла | 6,3 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Рисунок 15 - а) Спектры отражения многослойной структуры на основе ПК, б) спектры действительной и мнимой частей эффективного показателя преломления для такой структуры; штриховая линия соответствует показателю преломления ламинарной структуры, в) величина u = дщ/дК, нормированная на скорость света, г) величина k2 в одномерном фотонном кристалле на основе пористого кремния
5.2 Одномерные фотонно-кристаллические структуры на основе окисленного пористого кремния
Упомянутые выше ограничения на применение ПК (непрозрачность в видимом диапазоне и медленное окисление на воздухе) очевидным образом распространяются и на изготовленные из него многослойные структуры. Выходом, как и для плёнок ПК, может быть окисление таких структур [12]. Спектры пропускания исходной структуры, изготовленной из чередующихся слоёв ПК разной пористости, и структуры, полученной из неё в результате прогрева в печи с температурой 950оС в течение 2 ч, представлены на рисунке16. Поскольку показатели преломления ОПК меньше, чем показатели преломления ПК, положение ФЗЗ смещается в синюю сторону (с 3000 см-1 до 4500 см-1). Качество структуры при этом не испытывает заметного ухудшения: пропускание в ФЗЗ остаётся предельно низким, в спектре сохраняются резонансы пропускания вне ФЗЗ [12].
Рисунок 16 - Спектры пропускания исходной многослойной структуры из ПК и структуры, полученной в результате её окисления
6. Модификация нелинейной восприимчивости в пористых проводниках
Для микро - и мезопористого кремния размеры пор и нанокристаллов, хотя и существенно превосходят характерные размеры кристаллической решетки, все же остаются много меньше, чем длина оптической волны. Поэтому представляется удобным анализировать оптические свойства таких нанокомпозитов, опираясь на представления о симметрии кристаллов. Разумеется, такой подход неприменим для анализа симметрии на межатомном уровне; более того, как свидетельствуют картины рентгеновской дифракции, поры не оказывают какого-либо существенного влияния на расположения атомов в кристаллической решетке. Однако для описания оптических свойств пористой среды данный подход представляется вполне оправданным и согласующимся с моделью эффективной среды [12].
Рисунок 17 - Схематическое изображение пор в ПК.
Симметрия кубической решетки полностью задаётся тремя осями симметрии чевёртого порядка, четыремя осями симметрии третьего порядка, шестью осями симметрии второго порядка, девятью плоскостями симметрии и центром симметрии. Появление пор, распространяющихся вдоль осей [100] и [010] (рисунок 17) [12], понижают симметрию, оставляя одну ось четвертого порядка и четыре оси симметрии второго порядка, пять плоскостей симметрии и центр симметрии. Таким образом, мы имеем дело со средой, демонстрирующей свойства симметрии группы 4/mmm (D4h) (рисунок 18) [12].
Рисунок 18 - Элементы симметрии, соответствующие группам симметрии m3m (а) и 4/mmm.
Тензор кубической восприимчивости с учетом дисперсии обладает пятью различными ненулевыми компонентами: , , , , и имеет вид:
Аналогичное рассмотрение возможно и для двулучепреломляющего ОПК. ОПК на межатомном уровне проявляет свойства аморфного материала, т.е. он принадлежит предельной группе симметрии ??m и обладает одним независимым компонентом:
Распространение пор вдоль кристаллографических направлений понижает симметрию, выделяя направление [010] (рисунок 17) [12]. Таким образом, двулучепреломляющий ОПК, полученный окислением ПК, должен принадлежать предельной группе ?/тт (рисунок 19).
Рисунок 19-Тела, соответствующие предельным группам симметрии ??m (А) и ?/mm (Б)
Пренебрегая дисперсией ОПК, получим, что для этого материала тензор содержит три ненулевых независимых элемента (ч1122, ч1133 и ч3333) и имеет следующий вид:
7. Нелинейно-оптические процессы в оптически неоднородных средах на основе пористых полупроводников
7.1 Генерация второй гармоники в структурах на основе микропористого кремния
Как известно, генерация ВГ в микропористом кремнии происходит весьма неэффективно [13]. Основная идея увеличения эффективности ГВГ в ПК, реализуемая здесь, состоит в уменьшении фазовой расстройки для процесса ГВГ путем создания периодической многослойной структуры из ПК. Такой подход позволяет существенно повысить эффективность ГВГ в многослойных структурах на основе ПК по сравнению с сигналами второй гармоники как от однородного слоя ПК, так и от монокристаллического кремния, служащего подложкой для данной структуры. При этом в зависимости от периода структуры может меняться эффективность процесса генерации ВГ в таких одномерных фотонных кристаллах.
Многослойные структуры на основе ПК были сформированы в процессе электрохимического травления монокристаллических пластин кремния в растворе HF в этаноле (в отношении 1:
1). В качестве подложки применялся кремний р-типа с ориентацией поверхности (100) с удельным сопротивлением ~ 10 Ом·см. Электрохимическое травление проводилось поочередно подаваемыми импульсами тока, плотности токов составляли j1 = 5 мА/см2 и j2 = 105 мА/см2. Было сформировано три многослойные структуры (A, B и C), которые отличались толщинами слоев ПК; каждая из них содержала 12 пар слоев с пористостями приблизительно 70% и 80%. Показатели преломления слоев n1 ~ 1, 2 и n2 ~ 1, 4 соответственно. Толщины слоев низкой и высокой пористостей составили d1 = 87 нм, d2 = 95 нм для структуры A, d1 = 111 нм, d2 = 137 нм для структуры B, d1 = 178 нм, d2 = 150 нм для структуры C. Изготовленные образцы люминесцирова - ли в области 550 - 800 нм, что указывало на малый размер кремниевых нанокристаллов (< 2 нм), при котором возникает квантово-размерный эффект. Изменение угла падения света на образец приводит к смещению максимумов отражения, что позволяет осуществлять подстройку дисперсии структуры для процесса генерации ВГ.
Пикосекундная лазерная система, использованная для исследования генерации ВГ при отражении от многослойной структуры из ПК, включает в себя задающий Nd: YAG генератор (длина волны 1,064 мкм) с пассивной синхронизацией мод и управляемой добротностью резонатора, систему выделения одиночных импульсов на основе электрооптического затвора и два каскада усиления. Лазерный импульс на выходе усилительных каскадов имеет длительность около 35 пс и энергию до 3 мДж при гауссовом пространственном распределении интенсивности в сечении пучка усиленного излучения. Частота повторения импульсов генерации составляла 1 Гц.
Зависимость интенсивности ВГ от угла поворота образца вокруг нормали к его поверхности для структуры A приведена на рисунке 20 [14].
Рисунок 20-Ориентационная зависимость сигнала ВГ
Интенсивность второй гармоники, генерируемой в многослойной структуре на основе ПК, более, чем на порядок превосходит не только сигнал от однородного слоя ПК как высокой, так и низкой пористостей, но и сигнал ВГ, генерируемой при отражении от c-Si с ориентацией поверхности (100), на котором многослойная структура была сформирована. Видно, что сигнал ВГ практически не зависит от азимутального угла поворота. Излучение ВГ было практически полностью р-поляризовано. Эффективность процесса генерации ВГ при ее накачке р-поляризованным излучением выше, чем в случае, когда излучение на основной частоте было s-поляризовано [14].
На рисунке 21 приведены зависимости интенсивности второй гармоники от угла падения для многослойных структур А, B и C.
Рисунок 21 - Зависимости сигнала ВГ от угла падения излучения для структур А, В и С
Первая из них позволяла достигать максимальной интенсивности ВГ. Зависимость интенсивности ВГ от угла падения является немонотонной: интенсивность второй гармоники весьма низка при угле падения r, близком к нормальному, и достигает своего максимума при r = 55°. Сигнал второй гармоники для структур B и C намного слабее, а их максимумы достигаются при больших углах падения.
Следует отметить отсутствие ориентационной зависимости при одновременной преимущественной р-поляризации второй гармоники (рисунок 20). Этот эффект, а также большая эффективность ГВГ при накачке р-поляризованным излучением, по-видимому, объясняются особенностями структуры пористого слоя. Поскольку рост пор происходит вдоль направления [100], т.е. вдоль нормали к поверхности, то нанокристаллы кремния будут по преимуществу вытянуты вдоль оси [100]. Как следствие, локальное поле в нанокристалле вдоль этой оси будет выше, чем в перепендикулярных направлениях, что отразится и на величине нелинейной восприимчивости. Что касается ориентационной зависимости, очевидно, она исчезает ввиду оптической изотропности изучаемых структур в направлениях, перпендикулярных к нормали. Различие интенсивностей ВГ для структур A, B и С свидетельствует о том, что генерация ВГ не связана с напряжениями, которые могут возникать в структуре или на границе ее раздела с подложкой.
Наиболее интересным эффектом представляется обнаруженная зависимость эффективности второй гармоники от угла падения излучения накачки на образец (рисунок 21) [14].
Был проведен анализ зависимости расстройки волновых векторов излучений на основной и удвоенной частоте k1 и k2 от угла падения излучения с учетом дисперсии многослойной периодической структуры и материальной дисперсии ПК.
Опираясь на результаты измерений отражения, была сделана оценка разности показателей преломления на длинах волн 1,064 мкм и 0,532 мкм как 0,01 для слоя с большей пористостью и 0,005 для слоя с меньшей пористостью [12].
Зависимость расстройки волновых векторов Дk = k2 - 2k1 от угла падения излучения, рассчитанная для периодических структур с указанными выше параметрами в направлении распространения волны накачки, приведена на рисунке 22 [12].
Рисунок 22 - Зависимость расстройки волновых векторов Дk = k2 - 2k1 от угла падения излучения
При определенных углах падающего излучения достигается минимум Дk. Для структуры A данный угол, согласно расчетам, соответствует 50°, что близко к углу, соответствующему экспериментально наблюдаемому максимуму эффективности генерации ВГ. Некоторое различие в величинах этих углов может быть объяснено ролью френелевских факторов, уменьшающих интенсивность накачки из-за роста коэффициента отражения с увеличением угла падения. Таким образом, экспериментально установлено, что в многослойной периодической структуре на основе пористого кремния происходит генерация второй гармоники, эффективность которой намного превышает эффективность генерации второй гармоники как в однородном слое пористого кремния, так и на поверхности монокристаллического кремния. Эффективность генерации второй гармоники существенно зависит от толщин слоев. Излучение на частоте ВГ является р-поляризованным, а его интенсивность не зависит от угла поворота структуры в плоскости, перпендикулярной нормали. Получена немонотонная зависимость интенсивности ВГ от угла падения излучения накачки на образец. Обнаруженные эффекты связываются с достижением в структуре при определенном угле падения минимума фазовой расстройки для процесса генерации ВГ.
7.2 Генерация третьей гармоники в структурах на основе мезопористого кремния
Дополнительные возможности достижения эффективного фазового согласования в одномерных фотонно-кристаллических структурах открываются при использовании слоёв ПК, обладающих двулучепреломлением. К таким слоям и относится мезопористый кремний. Для таких структур, в частности, характерно наличие двух фотонных запрещённых зон для разных поляризаций излучения [1]. Особый интерес представляют случаи, когда ФЗЗ возникает на основной частоте или частоте гармоники. Структуры на основе двулучепреломляющих слоёв ПК позволят сочетать фазовое согласование, обусловленное как двулучепреломлением слоёв, так и самой структурой, и усиление поля в многослойной структуре.
В данном исследование были рассмотрены образцы сведения о которых представлены в таблице 1.
Таблица 1 - Параметры многослойных структур на основе двулучепреломляющих слоёв мезопористого кремния
|
Образец |
Вид образца |
Параметры травления |
Число пар |
Положение ФЗЗ |
||||
|
j1 |
t1 |
j2 |
t2 |
|||||
|
мА/см2 |
с |
мА/см2 |
с |
мкм |
||||
|
A |
Структура на подложке |
50 |
6 |
100 |
3 |
20 |
1,2-1,4 |
|
|
B |
Структура на подложке |
25 |
5,46 |
75 |
2,18 |
24 |
0,72-0,86 |
|
|
C |
Свободная плёнка |
50 |
5,3 |
100 |
3,3 |
36 |
1,15-1,35 |
|
|
D |
Свободная плёнка |
25 |
4,44 |
75 |
1,77 |
60 |
0,6-0,7 |
На рисунке 23 показано, как меняются ориентационные зависимости сигнала ТГ при повороте многослойной структуры и, следовательно, при смещении положения ФЗЗ. Использовался образец C в геометрии "на проход". Рассмотрим сначала зависимость величины ТГ, поляризованной параллельно поляризации излучения накачки, от угла ? между осью [001] и поляризацией излучения накачки.
Рисунок 5.8 - Ориентационные зависимости сигнала ТГ, поляризованной параллельно (¦) и перпендикулярно (О) поляризации излучения накачки, для образца С при различных углах падения излучения на образец: r = 0° (a), r = 20° (б), r= 60° (в). Образец поворачивался вокруг оси [110]. Угол между плоскостью падения и поляризацией излучения накачки ? = 0° соответствует поляризации излучения накачки в одной плоскости с осью [001].
Как видно из рисунка 23а при нормальном падении излучения генерация ТГ существенно подавлена в том случае, когда излучение на основной частоте поляризовано вдоль оси [001]. Действительно, при такой поляризации частота излучения накачки попадает в ФЗЗ, при этом практически не происходит его распространения в структуре, что и проявляется в подавлении генерации ТГ. Напротив, если излучение накачки поляризовано вдоль оси [110], т.е. является обыкновенной волной, то оно не попадает в ФЗЗ, что приводит к сравнительно большому сигналу ТГ. Для ориентационной зависимости ТГ, поляризованной перпендикулярно поляризации излучения накачки, также наблюдается падение эффективности генерации ТГ, если волна накачки имеет большую составляющей необыкновенной волны. Это проявляется в том, что четырёхлепесковая ориентационная зависимость оказывается вытянутой вдоль оси ? = 90°.
Ситуация меняется на противоположную, если образец повернут на угол r = 20° (рисунок 23б). В этом случае происходит смещение ФЗЗ в "синюю" сторону. Таким образом, оказывается, что для необыкновенной волны распространение излучения основной частоты разрешено, тогда как для обыкновенной волны оно, наоборот, подавлено. Это приводит к изменению вида ориентационной зависимости по сравнению со случаем r= 0°: сигнал ТГ при её накачке необыкновенной волной намного превосходит ТГ при накачке необыкновенной волной. В том случае, когда регистрируется ТГ, поляризованная перпендикулярно накачке, четырёхлепесковая ориентаци - онная зависимость оказывается вытянутой вдоль оси ? = 0°.
Наконец, при r = 60° (рис.23в) ориентационная зависимость сигнала ТГ, поляризованной параллельно излучению накачки, становится четы - рёхлепестковой, поскольку в этом случае ФЗЗ для обыкновенной и необыкновенной волн сместились настолько, что не препятствуют распространению излучения в многослойной структуре. Интересно отметить, что при повороте на угол r = 60° сигнал ТГ падает всего в два раза. Кроме того, оказывается, что при r = 60° ориентационная зависимость сигнала ТГ, поляризованной перпендикулярно поляризации излучения основной частоты, обладает четырёхкратной симметрией, а её эффективность сравнима с эффективностью генерации ТГ для параллельно поляризованных волн накачки и ТГ. Эти факты не характерны для процесса генерации ТГ в одном слое (плёнке) ПК и, по-видимому, связаны с влиянием фазового согласования в многослойной структуре на процесс генерации ТГ. Рассмотрим теперь случай генерации ТГ в геометрии "на отражение" (рисунок 24). Как видно, в случае образца В, для которого излучение основной частоты не попадает в ФЗЗ, ориентационные зависимости в целом повторяют форму ориентационных зависимостей для с-Si. Для образца А, однако, форма ориентационной зависимости меняется. Этот результат объясняется влиянием ФЗЗ. Действительно, при поляризации излучения накачки вдоль оси [001] ФЗЗ для необыкновенной волны препятствует распространению излучения основной частоты в многослойной структуре, что и приводит к падению отклика на частоте ТГ [2]. Таким образом, получается, что эффективность генерации ТГ существенным образом зависит от положения ФЗЗ: запрет на распространение излучения на основной частоте или частоте гармоники приводит к подавлению процесса генерации гармоник. В многослойных структурах, сформированных из анизотропных слоёв ПК, это проявляется как модификация ориентационных и угловых зависимостей сигналов гармоник.
Рисунок 24 - Нормированные ориентационные зависимости сигнала ТГ, поляризованной параллельно (левая колонка) и перпендикулярно (правая колонка) поляризации излучения накачки, для c-Si (верхний ряд), образца В (средний ряд) и образца А (нижний ряд). Угол 0° соответствует направлению [001] (см. [2])
Заключение
1) Проведено исследование влияния структурных характеристик пористых полупроводников и диэлектриков на их оптические линейные и нелинейные свойства, обуславливающие весь спектр применения пористых полупроводников в оптоэлектронике и микроэлектронике.
2) В дипломной работе был проанализирован способ формирования пористых полупроводников методом электрохимического травления на примере пористого кремния. В результате чего были выявлены основные факторы, воздействующие на структуру пористого кремния при его формировании.
3) Анализ способа получения пористых полупроводников показал, что на их основе можно успешно формировать фотонно-кристалические системы. Особенностью таких систем является возможность заполнения имеющихся у них пор различными средами, что приводит к изменению эффективных фотонных свойств пористых полупроводников.
4) Проведенные исследования по генерация гармоник в многослойных периодических структурах на основе как микро-, так и макропористого кремния показали возможность управления эффективностью генерации гармоник в таких структурах путем изменения как величины периода структуры, так и угла падения излучения на структуру.
5) Анализ показал, что легкость управления свойствами пористого материала, совместимость с технологическими операциями кремниевой микроэлектроники позволяют создавать светоизлучающие диоды, фотоприемники и световоды, которые в одной твердотельной схеме могут быть объединены в единый комплекс излучатель - оптическая среда передачи информации - приемник.
Список использованных источников
1. Photonic bandgap materials and birefringent layers based on anisotropically nanostructured silicon/ L. A. Golovan, E. Yu. Krutkova, J. W. Haus, G.I. Petrov // J. Opt. Soc. Am. B. - 2002. - Vol. 19, No.9. - P.2273-2281
2. Effect of photonic crystal structure on the nonlinear optical anisotropy of birefringent porous silicon/ L. A. Golovan, E. Yu. Krutkova, G.I. Petrov et al // Opt. Letters. - 2006. - Vol.31, No.21. - P.3152-3154.
3. Поглощение и фотолюминесценция свободного пористого кремния/ Е.В. Астрова, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк и др. // ФТП. - 1995. - Т.29. - С.1649-1656.
4. Балагуров Л.А. Пористый кремний. Получение, свойства, возможные применения // Материаловедение. - 1998. - Вып.1. - С.50-56. - Вып.3. - С.23-45.
5. Пространственная локализация, состав и некоторые свойства люминесцентно-активного слоя в пористом кремнии/ В.Г. Бару, Т.П. Колмакова, А.Б. Ормонт и др. // Письма в ЖТФ. - 1994. - Т. 20, вып. 20. - С.62-66.
6. Белогорохов А.И. Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных с использованием электролита HCl: HF: C2H5OH // ФТП. - 1999. - Т.33. - С. 198-204.
7. Белогорохов А.И. Взаимосвязь между сигналом фотолюминесценции и поверхностными состояниями пористого кремния, в том числе "свободных" пленок пористого кремния // ФТП. - 1996. - Т.30. - С.1177-1185.
8. Беляков Л.В. Фотоответ и электролюминесценция структур кремний - пористый кремний - химически осажденный металл // ФТП. - 2000. - Т.34. - С.1386-1389.
9. Исследование пористого кремния методом акустической микроскопии / Е.А. Бибик, Э.Ю. Бучин, С.П. Зимин, М.Н. Преображенский // Материалы международной н. - т. конф. "Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики. Новочеркасск, 2000. - Ч.2. - С.37-40.
10. Электролюминесценция и вольтамперные характеристики структур на основе пористого кремния / Э.Ю. Бучин, А.Н. Лаптев, А.В. Проказников и др. // Письма в ЖТФ. - 1997. - Т.23, вып.11. - С.70-76.
11. Гапоненко С.В. Фотонные кристаллы / С.В. Гапоненко, А.В. Фёдоров // Оптика наноструктур. СПб. - Недра, 2005. С.1-48.
12. Головань Л.А. Влияние структурных характеристик пористых полупроводников и диэлектриков на их оптические свойства: дис… док. физ. - мат. наук: 17.04.08/Л.А. Головань; Мос. гос. ун-т им. М.В. Ломоносова. - Москва, 2008. - 251с.
13. Генерация оптических гармоник в наноструктурах пористых полупроводников /Л.А. Головань, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко и др. // Вестник Московского университета. Сер.3. Физика. Астрономия. - 2005. - №2. - С.31-40.
14. Генерация второй оптической гармоники в структурах с фотонной запрещенной зоной на основе пористого кремния/ Л.А. Головань, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко и др. // Письма в ЖЭТФ. - 1999. - Т.69,№4. - С.274-279.
15. Двулучепреломление формы и генерация оптических гармоник в наноструктурах пористых полупроводников / Л.А. Головань, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко, А.М. Желтиков // Российские нанотехнологии. - 2006. - Т.1, №1-2. - С.111-120.
16. Костишко Б.М. Стабилизация светоизлучающих свойств пористого кремния термовакуумным отжигом // Письма в ЖТФ. - 2000. - Т.26, вып.1. - С.50-55
17. Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si: H и влияние на них термического отжига / И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, Е.И. Теруков, В.П. Афанасьев и др. // ФТП. - 2001. - Т.35. - С.367-370.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.
контрольная работа [1,0 M], добавлен 15.12.2015Структура полупроводниковых материалов. Энергетические уровни и зоны. Электро- и примесная проводимость полупроводников. Виды движения носителей. Свойства электронно-дырочного перехода. Электропроводимость полупроводников в сильных электрических полях.
реферат [211,5 K], добавлен 29.06.2015Типы проводимостей полупроводников и их отличия. Преимущества гетероэпитаксиальных структур КРТ по сравнению с объемными кристаллами КРТ, выращивание. Разновидности полупроводниковых фотоприёмников. Приборы на основе КРТ: принцип действия и устройство.
курсовая работа [3,3 M], добавлен 18.10.2009Принципы работы полупроводниковых приборов. Физические основы электроники. Примесная электропроводность полупроводников. Подключение внешнего источника напряжения к переходу. Назначение выпрямительных диодов. Физические процессы в транзисторе, тиристоры.
лекция [4,4 M], добавлен 24.01.2014Строение твердых тел, их энергетические уровни. Оптические и электрические свойства полупроводников. Физические эффекты в твердых и газообразных диэлектриках, проводниках, магнитных и полупроводниковых материалах. Токи в электронно-дырочном переходе.
курс лекций [1,7 M], добавлен 11.01.2013Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.
курсовая работа [3,1 M], добавлен 28.03.2016Обзор истории создания конденсатора с двойным слоем на пористых угольных электродах. Исследование устройства и характеристик ионисторов, электрохимических приборов, предназначенных для хранения электрической энергии. Анализ их достоинств и недостатков.
реферат [129,1 K], добавлен 04.12.2015Начало использования полупроводников 1940-50-е годы. Появление и использование первых интегральных схем. Появление БИС микропроцессоров в 1970-е годы. Распространение архитектуры intel. Развитие технологий литорафии. Усложнение техпроцесса в 2000-е годы.
реферат [84,0 K], добавлен 22.03.2015Солнечная батарея как объект моделирования. Общие принципы построения и отладки математической модели солнечных батарей. Кристаллические полупроводниковые материалы. Рекомендации по построению фотоэлектрических систем космического и наземного назначения.
автореферат [451,5 K], добавлен 20.05.2012Интроскопия - внутривидение, визуальное наблюдение объектов, явлений и процессов в оптически непрозрачных телах и средах, в условиях плохой видимости. Классификация методов диагностики. Общность методов и средств обработки иитроскопических изображений.
реферат [265,7 K], добавлен 01.02.2009
