курсовая работа  Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке

Физико-химические основы процессов микроэлектроники. Распределение примесей после зонной плавки. Расчет распределения примеси в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условиях диффузии. Нахождение положения электронно-дырочного перехода.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

 ___       ,_____ __ 
/   \|  | /|    //  |
  __/|__|_ |   / \_/|
    \   |  |  /     |
\___/   |  | /      |
                     
                     

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 30.10.2011
Размер файла 839,1 K

Подобные документы

  • Диоды на основе электронно-дырочного перехода. Режимы работы диода. Технология изготовления электронно-дырочного перехода. Анализ диффузионных процессов. Расчет максимальной рассеиваемой мощности корпуса диода. Тепловое сопротивление корпуса диода.

    курсовая работа [915,0 K], добавлен 14.01.2017

  • Расчет основных электрических, технологических и эксплуатационных параметров выпрямительного диффузионного диода на основании заданной структуры (характера распределения примеси) и электрических характеристик. Построение графиков зависимости параметров.

    курсовая работа [254,5 K], добавлен 15.10.2010

  • Физико-топологическая модель как модель расчета электрических параметров. Расчет распределения концентрации акцепторной и донорной примеси, скорости диффузии, расчет остальных параметров биполярного транзистора. Определение напряжения лавинного пробоя.

    реферат [433,1 K], добавлен 12.06.2009

  • Технология изготовления, принцип действия, физические процессы в полупроводниковых диодах. Расчёт вольтамперной характеристики пробивного напряжения электронно-дырочного перехода. Основные особенности использования диодных структур в интегральных схемах.

    курсовая работа [752,0 K], добавлен 31.05.2014

  • Свойства полупроводниковых материалов, применяемых для производства транзисторов и диодов. Понятие электронно-дырочного перехода (n-p-перехода), определение его вольтамперной характеристики. Расчет зависимости плотности тока насыщения от температуры.

    курсовая работа [612,5 K], добавлен 12.12.2011

  • Контакт полупроводника с полупроводником. Понятие, структура и методы создания p-n-переходов. Особенности поведения электрона с учетом спина в электрическом поле. Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике. Время диэлектрической релаксации.

    курсовая работа [1,4 M], добавлен 03.12.2010

  • Диффузия - перенос атомов в результате теплового движения; распределение примеси. Объемные и диффузионные полупроводниковые резисторы. Определение концентрации донорной примеси в исходной пластине кремния; расчет коэффициентов диффузии для бора и фосфора.

    курсовая работа [698,7 K], добавлен 17.05.2013

  • Выбор материалов для изготовления интегрального усилителя. Расчет режима базовой диффузии, профиля распределения примеси в эмиттерной области, окисления при получении диэлектрических карманов и диэлектрической пленки, для создания защитной маски.

    курсовая работа [900,6 K], добавлен 09.09.2014

  • Температурная зависимость концентрации равновесных носителей заряда в полупроводнике. Температуры ионизации донорной примеси и основного вещества в полупроводнике тока методом последовательных приближений. Электропроводность и удельное сопротивление.

    курсовая работа [271,8 K], добавлен 26.11.2009

  • Технологический процесс изготовления полупроводниковой интегральной схемы ТТЛ. Расчет режимов базовой и эмиттерной диффузии, а также эпитаксии. Уточнение профиля распределения примеси в эмиттерной области. Определение точности изготовления резисторов.

    курсовая работа [2,6 M], добавлен 14.03.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.